王桂磊/2025年北京市劳动模范/
时间：2025.07.15
王桂磊
北京超弦存储器研究院
副院长、党总支书记 正高级工程师
王桂磊聚焦随机动态存储器（DRAM）未来核心技术研发和产业验证。他带领团队进行新材料生长和关键技术研发，在产线成功完成新型氧化物材料薄膜组分可控生长和工艺集成研发，成功实现垂直沟道场效应管电学性能验证，相关器件关键指标达国际先进水平，获得国际知名企业重点关注。
他带领团队完成发明专利申请350余项，为存储器产业从根源上解决技术代际更迭难题奠定了坚实基础。他曾以骨干或负责人身份参与集成电路国家重大专项和重点研发计划研究，个人迄今出版英文专著1部、编著1部、章节2章、中文专著2章节，在本领域顶级会议（如IEDM，VLSI）和期刊上发表论文160余篇；作为发明人，完成国际国内发明专利申请320项，其中获得授权的发明专利139项；在国际、国内学术会议作邀请报告10余次。
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